在今年2月份的時候三星發(fā)布了容量高達256GB的最新、最快UFS 2.0閃存芯片。據(jù)之前的消息該芯片將搭載于三星Note6上?，F(xiàn)在，有關(guān)于這款閃存芯片的詳細信息已經(jīng)現(xiàn)身三星半導(dǎo)體官網(wǎng)。據(jù)稱該閃存芯片目前已經(jīng)成功流片，同時三星也正在加緊進行測試，相信距離大規(guī)模量產(chǎn)的時間不久了。
從三星半導(dǎo)體給出的信息來看，該芯片型號為KLUEG8U1EM-B0B1，封裝尺寸為11.5x13x1.2mm(僅比32GB閃存厚了0.2mm)，MLC采用雙傳輸信道的G3 2Lane規(guī)格。得益于串行界面以及全雙工運行(可同時讀寫操作)，三星官方宣稱這款256GB的UFS 2.0閃存芯片的持續(xù)讀、寫速度分別可達850MB/s、260MB/s，讀取速度比大多數(shù)電腦上的SATA SSD都要快。
同時該芯片的讀/寫操作IOPS分別可達45000、40000，比上一代UFS閃存快了一倍。根據(jù)三星半導(dǎo)體的消息，這款256GB USF 2.0閃存芯片未來將應(yīng)用到智能手機、平板以及智能電視上，其中將在今年下半年發(fā)布的商務(wù)大屏旗艦三星Galaxy Note6有望最先用上。
;){kind=link}